半导体物理学期末复习试题及答案一

1、选择 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（B）。A.比绝缘体的大B.比绝缘体的小C.和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（B），施主杂质电离后向半导体提供（C），本征激发向半导体提供（A）。A.电子和空穴B.空穴C.电子3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（B）。A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（B）有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时， 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面的导电类型与体材料的类型（B）。A.相同B.不同C.无关6.空穴是(B)。A.

带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是（A）能隙结构。A.直接B.间接8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（A）杂质作用，若Si取代As则起（B）杂质作用。A.施主B.受主C.陷阱D.复合中心9.在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为（D），当温度大于热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为（A）。A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于1E.等于010.如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表（A），CD段代表（B）。A.多子积累B.多子耗尽C.少子反型D.平

带状态11.P型半导体发生强反型的条件（B）。A.B.C.D.12.金属和半导体接触分为：（B）。A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触13.一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（A）。A.1/eB.1/2C.0D.2/e14.载流子的漂移运动是由（A）引起的，反映扩散运动强弱的物理量是（B）。A.电场B.浓度差C.热运动D.E.F.15.对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（B）。A.声学波散射和光学波散射B.声学波散射和电离杂质散射C.

光学波散射和电离杂质散射D.光学波散射2、证明题对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFn>Ei。3、计算画图题1.三块半导体Si室温下电子浓度分布为，,（NC=3*1019cm-3，NV=1*1019cm-3，ni=1010cm-3，ln3000＝8,ln1000＝6.9）则（1）、计算三块半导体的空穴浓度（2）、画出三块半导体的能带图（3）、计算出三块半导体的费米能级相对与的位置（要求n型半导体求EC－EF，p型半导体求EF－Ev）（15分）2.室温下，本征锗的电阻率为47，试求本征载流子浓度。若锗原子的浓度为，掺入施主杂质，使每个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和

空穴浓度(设杂质全部电离)。试求该掺杂锗材料的电阻率。设，且认为不随掺杂而变化。若流过样品的电流密度为，求所加的电场强度。3.画出金属和N型半导体接触能带图（，且忽略间隙），并分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。4.如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图，画出对应的电荷分布图。（6分）5.光均匀照射在电阻率为6的n型Si样品上，电子－空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8µs。试计算光照前后样品的电导率。（，）6.7.8.友情提示：本资料代表个人观点，如有帮助请下载，谢谢您的浏览！9.10.11.12.13.14.整理为word格式整理为word格式整理为word格式